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用光照射N型半导体样品(小注入)，假设光被均匀的吸收，电子-空穴对的产生率为GL，空穴的寿命为τ，光照开始时，即t=0，△p=0，试求出：
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设一均匀的n型Si样品，在左半部用一稳定的光照射(见图)，均匀产生电子—空穴对，产生率为g0，若样品足够长，试求稳态时样品两边的空穴浓度分布。
光照一个1Ω·cm的n型硅样品，均匀地产生非平衡载流子，电子—空穴对的产生率为1017cm-2·s-1。设样品的寿命为10μs，表面复合速度为100cm/s。试计算：
①单位时间在单位面积表面复合的空穴数。
②单位时间单位表面积下离表面三个扩散长度的体积内复合的空穴数。
有n型CdS正方晶片，边长为1mm，厚为0.1mm，其波长吸收限为
。今用光强度为1mW/cm2的紫色光(λ=409.6
)照射正方形表面，量子产额为β=1。设光生空穴全部被陷，光生电子寿命为τn=10-5s，电子迁移率为μn=100cm2/(V·s)；并设光照能量全部被晶片吸收，求下列各值。
一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n0)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为
一个N型硅样品，μp=430cm2/(V·s)，空穴寿命为5μs．在它的一个平面形的表面有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度△p=1013cm-3试计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3．
(2)若在x=0处表面复合速度为S，解新的连续方程，证明稳定态的空穴分布可表示为
(
，称为空穴扩散长度)
(2)求产生的空穴浓度为1015cm-3的GL值，它的电导率和费米能级是多少？
