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[主观题]

从能带角度来看,锗、硅属于()半导体,而砷化稼属于()半导体,后者有利于光子的吸收和发射。

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第1题
从能带结构来看,导体、半导体和绝缘体有什么不同?
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第2题
砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入(在As的位置上)属于()型半导体。

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第3题
半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管()
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第4题
关于半导体的说法中错误的是()。

A.硅是半导体

B.半导体的导电性受某些因素的影响很大

C.半导体只有硅、锗和硒三种

D.半导体的导电性能介于导体、绝缘体之间"

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第5题
为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高?

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第6题
从能带结构来看,本征半导体的导电机制是什么?

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第7题
硅的禁带宽度Eg=1.1eV,当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后,产生一杂质能级,试画出这一杂质半导体的能带图?并
硅的禁带宽度Eg=1.1eV,当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后,产生一杂质能级,试画出这一杂质半导体的能带图?并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限?
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第8题
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些()。

A、半导体材料的霍尔常数比金属的大

B、半导体中电子迁移率比空穴高

C、半导体材料的电子迁移率比较大

D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件

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第9题
以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系,为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?

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