题目内容
（请给出正确答案）
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s)，n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s)，锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组…”相关的问题
室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每105个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/(V·s)，μp=1700cm2/(V·s)且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm-3。
在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度ND=1014cm-3，受主杂质浓度NA=-7×1013cm-3；设室温下本征锗材料的电阻率ρi=60Ω·cm，假设电子和空穴的迁移率分别为μn=3800cm2/(V·s)，μp=1800cm2/(V·s)，若流过样品的电流密度为52.3mA/cm2，求所加的电场强度。
一个pn结二极管具有下列参数：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，τn=τp=1μs，A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自少数载流子的扩散长度。试求室温(300K)时正向电流为1mA时的外加电压。设p型区的电子迁移率μn=500cm2/(V·s)，n型区的空穴迁移率μp=180cm2/(V·s)。
的电阻率．在这种情况下，最高的电阻率是本征半导体电阻率的多少倍？如果μn＞μp，最高电阻率的半导体是N型还是P型？
有锗pn结，设P区的掺杂浓度为NA，n区掺杂浓度为ND，已知ND=102NA，而NA相当于108个锗原子中有一个受主原子，计算室温下接触电位差VD。若NA浓度保持不变，而ND增加102倍，试求接触电位差的改变。
试说明在室温下，某半导体的电子浓度
时，其电导率σ为最小值。式中ni是本征载流子浓度，μp、μn分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时空穴浓度。
T(K) 333 385 455 566 714
σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400
求锗的禁带宽度。假设Eg与温度无关，空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T-3/2。
有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
