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一个pn结二极管具有下列参数：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，τn=τp=1μs，A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自少数载流子的扩散长度。试求室温(300K)时正向电流为1mA时的外加电压。设p型区的电子迁移率μn=500cm2/(V·s)，n型区的空穴迁移率μp=180cm2/(V·s)。
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有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s)，n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s)，锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
InSb电子迁移率为7.8m2/(V·s)，空穴的迁移率为780cm2/(V·s)，本征载流子浓度为1.6×1016cm-3，求300K时
试说明在室温下，某半导体的电子浓度
时，其电导率σ为最小值。式中ni是本征载流子浓度，μp、μn分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时空穴浓度。
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
设电子和空穴的有效质量相等，硅的禁带宽度为1.12eV，电子和空穴的迁移率分别为0.135cm2/(V·s)和0.048cm2/(V·s)。
