图3－10（a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区

图3-10(a)所示为一种测pn结结深x_j的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)x_j叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄膜的条纹数目△k，即可求出结深

x_j=△k(λ/2)．

由于光在金属或半导体表面反射时相位变化比较复杂，用本方法测量结深x_j没有考虑此相位突变，因此测量结果不太精确．更精确的测量方法见图3-10(b)，半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上表面，而是一端稍微往上翘一点，观察到的干涉条纹如图3-10(b)下方所示．试说明：