如果结果不匹配，请 
更多“p型半导体与n型半导体接触后形成p－n结,n区的电子能否无限…”相关的问题
第1题
关于PN结下列说法正确的是：()。
A、PN结是P型，N型半导体混合制成的
B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
第5题
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温（300K)时，内建电位差VD和阻挡层宽度
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s)，n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s)，锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
第6题
图3－10（a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区
图3-10(a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)xj叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄膜的条纹数目△k，即可求出结深
点击查看答案
xj=△k(λ/2)．
由于光在金属或半导体表面反射时相位变化比较复杂，用本方法测量结深xj没有考虑此相位突变，因此测量结果不太精确．更精确的测量方法见图3-10(b)，半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上表面，而是一端稍微往上翘一点，观察到的干涉条纹如图3-10(b)下方所示．试说明：
第8题
下述说法中，正确的是( )．
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电．而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
B.N型半导体的导电性能优于P型半导体，因为N型半导体是负电子导电，P型半导体是正离子导电
C.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去．大大提高了半导体导电性能
D.P型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
