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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是（)。A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。

A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

B．刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出

C．集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”

D．分散刷新方式同样存在“死时间”

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更多“下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是（)。A．刷新操作按行…”相关的问题

第1题

下列关于DRAM刷新的描述中，正确的是（)

A.刷新地址可由CPU给出

B.集中刷新虽然保持了存储单体的高速特性，但存在死时间

C.异步刷新方式既保持了存储单体的高速特性，也不存在死时间

D.分散刷新由于刷新次数过多，大大降低了存储单体的性能

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第2题

一个1Kx4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64x64形式，且存取周期为0.1 μs。（1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,刷新信号周期应该取多少？（2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？

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第3题

一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。（1)若采用分散

一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式，刷新信号周期应该取多少？ (2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？

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第4题

动态RAM采用下列哪种刷新方式时，不存在死时问()。A．集中刷新B．分散刷新C．异步刷新D．都不对

动态RAM采用下列哪种刷新方式时，不存在死时问（）。

A．集中刷新

B．分散刷新

C．异步刷新

D．都不对

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第5题

下面有关SRAM,DRAM的叙述，正确的有（)

A.DRAM存储单元的结构比SRAM简单

B.DRAM比SRAM成本高

C.DRAM比SRAM速度快

D.DRAM要刷新，SRAM不刷新

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第6题

DRAM的刷新是以()为单位进行的。

A.存储单元

B.行

C.列

D.存储元

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第7题

某动态存储器存储单体的容量是64K*8位,采用双译码结构且地址线平均送到两个译码器，刷新周期是2ms。下列关于动态存储器的描述中正确的是（)

A.动态存储器的刷新按行进行

B.该动态存储器的刷新地址计数器的模为2^8

C.该动态存储单体的数据线和地址线之和为16

D.该刷新地址计数器在2ms内必须进行一轮计数循环

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第8题

一个4096位DRAM，存储矩阵采用64行×64位结构。设每个存储单元刷新时间为400ns，问需多少时间才能将全部存储单

元刷新一遍。

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第9题

DRAM比SRAM慢，可能的原因包括（)

A.DRAM需要刷新

B.DRAM存储体行列地址线复用

C.DRAM读之前需要预充电

D.DRAM存储单元采用了双译码结构

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