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[主观题]

一个1Kx4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64x64形式，且存取周期为0.1 μs。（1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,刷新信号周期应该取多少？（2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？

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第1题

一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。（1)若采用分散

一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式，刷新信号周期应该取多少？ (2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？

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第2题

一个8Kx8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256x256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新3种方式的刷新间隔各为多少？

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第3题

动态RAM采用下列哪种刷新方式时，不存在死时问()。A．集中刷新B．分散刷新C．异步刷新D．都不对

动态RAM采用下列哪种刷新方式时，不存在死时问（）。

A．集中刷新

B．分散刷新

C．异步刷新

D．都不对

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第4题

一个128×128结构的动态RAM芯片，每隔2ms要刷新一次，且刷新是按顺序对所有128行的存储元进行内部读

操作和写操作实现的。设存取周期为0．5μs，求刷新开销。

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第5题

某16位微型机主存地址码为24位，按字节编址，使用1M×1位的DRAM芯片组成，存储周期为0.1us，请问该机

所允许的最大主存空间是多少？需用多少片DRAM芯片？若采用异步刷新方式，设存储元刷新最大间隔时间不超过8ms，则刷新定时信号的间隔时间是多少？

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第6题

某16位微型机主存地址码为24位，按字节编址，使用1M×1位的DRAM芯片组成，存储周期为0．1μs，请问该机

所允许的最大主存空间是多少？需用多少片DRAM芯片？若采用异步刷新方式，设存储元刷新最大间隔时间不超过8ms，则刷新定时信号的间隔时间是多少？

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第7题

一个4096位DRAM，存储矩阵采用64行×64位结构。设每个存储单元刷新时间为400ns，问需多少时间才能将全部存储单

元刷新一遍。

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第8题

用16K×1位的DRAM芯片构成64K×8位的存储器，设存储器的读写周期为0.5μs，要使CPU在1μs内至少访问存储器一次，问采用哪种刷新方式比较合适？若每行刷新间隔不超过2ms，该方式下刷新信号的间隔是多少？

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第9题

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。

A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

B．刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出

C．集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”

D．分散刷新方式同样存在“死时间”

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