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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

一个4096位DRAM，存储矩阵采用64行×64位结构。设每个存储单元刷新时间为400ns，问需多少时间才能将全部存储单

元刷新一遍。

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第1题

DRAM的刷新是以()为单位进行的。

A.存储单元

B.行

C.列

D.存储元

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第2题

DRAM比SRAM慢，可能的原因包括（)

A.DRAM需要刷新

B.DRAM存储体行列地址线复用

C.DRAM读之前需要预充电

D.DRAM存储单元采用了双译码结构

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第3题

下面有关SRAM,DRAM的叙述，正确的有（)

A.DRAM存储单元的结构比SRAM简单

B.DRAM比SRAM成本高

C.DRAM比SRAM速度快

D.DRAM要刷新，SRAM不刷新

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第4题

动态RAM的特点是（)。

A.工作中需要动态地改变存储单元内容

B.工作中需要动态地改变存储地址

C.每隔一定时间需要刷新

D.每次读出后需要刷新

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第5题

一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。（1)若采用分散

一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式，刷新信号周期应该取多少？ (2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？

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第6题

一个1Kx4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64x64形式，且存取周期为0.1 μs。（1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,刷新信号周期应该取多少？（2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？

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第7题

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。

A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

B．刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出

C．集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”

D．分散刷新方式同样存在“死时间”

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第8题

利用电容的充电来存储数据，由于电路本身总有漏电，因此需定期不断补充充电（刷新)才能保持其存储的数据的是()

A、静态RAM的存储单元

B、动态RAM的存储单元

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第9题

RAM的刷新是以()为单位的。A．存储单元B．行C．列D．存储字

RAM的刷新是以（）为单位的。

A．存储单元

B．行

C．列

D．存储字

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