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[判断题]
复合和产生是一对相对立的变化过程，复合将使得一对电子和空穴消失，在半导体中产生和复合并非总是同时存在的。（)
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程有相同的概率。试求这种复合—产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？
一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n0)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为
A、将组分A、B两种材料复合起来，两者发生化学反应产生新材料的过程
B、将组分A、B两种材料复合起来，得到同时具有组分A和组分B的性能特征的综合效果
C、将组分A、B两种材料复合起来，两者发生物理反应产生新材料的过程
D、将组分A、B两种材料复合起来，两者发生物理、化学反应产生新材料的过程
光照一个1Ω·cm的n型硅样品，均匀地产生非平衡载流子，电子—空穴对的产生率为1017cm-2·s-1。设样品的寿命为10μs，表面复合速度为100cm/s。试计算：
①单位时间在单位面积表面复合的空穴数。
②单位时间单位表面积下离表面三个扩散长度的体积内复合的空穴数。
A.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低
B.到达基区的电子很容易穿过集电结
C.到达基区的空穴很容易穿过发射结
D.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高
