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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

()是制造光伏器件和微波器件及集成电路的重要材料。

A.砷化镓

B.磷化锢

C.锑化锢

D.碳化硅

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A、砷化镓

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第1题
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.砷化铟

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第2题
以下不属于太阳能光伏电池材料的是()。

A.硫化镉

B.砷化镓

C.氟化铵

D.多晶硅

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第3题
砷化镓的器件的缺点是功率较低,低于()。

A.50W

B.100W

C.150W

D.200W

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第4题
发光二极管通常用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成,它在通过()电流时会发光,发光的颜色取决于所用的材料,可发出红、黄绿及红外光等。

A.正向

B.反向

C.同步

D.同向

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第5题
第一个晶体管采用的半导体材料是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第6题
()制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

A.砷化镓

B.氮化硅

C.InP

D.硅

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第7题
世界上第一块集成电路是在半导体材料()上制作的。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.氮化硅

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第8题
新一代信息技术产业发展趋势包括材料技术不断创新突破促进电子元器件提质发展,带动电子信息产业提档升级发展。其中第三代半导体材料以()为代表,具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。

A.砷化镓

B.氮化镓

C.氧化锌

D.碳化硅

E.金刚石

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第9题
目前光伏电站转换效率高的光伏组件为()

A.单晶硅组件

B.多晶硅组件

C.非晶硅薄膜组件

D.砷化镓光伏组件

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第10题
下列关于集成电路的叙述错误的是()。

A、将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上就构成集成电路。

B、现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓。

C、集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路。

D、集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路。

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第11题
下列关于集成电路的叙述中错误的是()。

A.微电子技术以集成电路为核心

B.现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓

C.集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路

D.集成电路使用的材料都是半导体硅材料

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