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更多“有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm…”相关的问题
用光照射N型半导体样品(小注入)，假设光被均匀的吸收，电子-空穴对的产生率为GL，空穴的寿命为τ，光照开始时，即t=0，△p=0，试求出：
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm-3，少子寿命τn=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018cm-3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度ni=1010cm-3)。
有n型CdS正方晶片，边长为1mm，厚为0.1mm，其波长吸收限为
。今用光强度为1mW/cm2的紫色光(λ=409.6
)照射正方形表面，量子产额为β=1。设光生空穴全部被陷，光生电子寿命为τn=10-5s，电子迁移率为μn=100cm2/(V·s)；并设光照能量全部被晶片吸收，求下列各值。
B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池
C、是光能转换成电能
D、能够产生有效的光生伏特效应，需要：光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离
E、是电能转换成光能
用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为gp，非平衡空穴的寿命为τp，光脉冲宽度△t=3τp。
的电阻率．在这种情况下，最高的电阻率是本征半导体电阻率的多少倍？如果μn＞μp，最高电阻率的半导体是N型还是P型？
一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n0)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为
