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[判断题]

划片后晶圆清洗时离子风枪口与晶圆距离应保持在15±5cm。（)

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第1题

划片工艺流程规定所有贴片后晶圆都要烘烤。（)

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第2题

12inch晶圆划片后清洗时间为50s±10s。()

12inch晶圆划片后清洗时间为50s±10s。（)

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第3题

贴片划片胶膜贴在晶圆的正面。（)

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第4题

划片后倒装上芯前晶圆需放置在氮气柜中，加工一片拿取一片。（)

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第5题

检验时,应核对晶圆批号以及胶膜上的标识与《晶圆管制卡》是否相符。（)

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第6题

晶圆上机前，核对确认晶圆刻号与条码信息一致，倾斜晶圆，在灯光下0°~45°范围内缓慢晃动晶圆，目检确认晶圆外观，无外观缺陷后上机。（)

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第7题

晶圆传递时，单手拿晶圆。（)

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第8题

FCDA作业时，晶圆上机后设备扫描晶圆上条码，自动读取调用map。（)

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第9题

晶圆划片后将已划好的晶圆图形面向下,轻放于清洗机工作盘的定位销内。()

晶圆划片后将已划好的晶圆图形面向下,轻放于清洗机工作盘的定位销内。（)

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第10题

更换晶圆前应目检确认晶圆表面无异常。（)

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第11题

划片的任务是将已减薄的晶圆按照工艺规范要求切割成完整的单个芯片。（)

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