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第2题
设N沟道增强型MOSFET的参数为VT=1V，W=100μm，L=5μm，μN=650cm2／（V·s)，COX=76.7×10－9F／cm2。当vGS=2VT，MOSFET工
设N沟道增强型MOSFET的参数为VT=1V，W=100μm，L=5μm，μN=650cm2/(V·s)，COX=76.7×10-9F/cm2。当vGS=2VT，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效管的工作电流ID。
第3题
已知N沟道增强型MOSFET的μn=1000cm2／（V·s)，Cox=3×10－8F／cm2，，|VA|=200V，VDS=10V，工作在饱和区，试求：
已知N沟道增强型MOSFET的μn=1000cm2/(V·s)，Cox=3×10-8F/cm2，
，|VA|=200V，VDS=10V，工作在饱和区，试求：
第4题
图LP3－3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／（2l)= 40μA／V2，VGS（th)=－1 V，若忽略沟道长度调制效
图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。
(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。
第5题
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3－10所示，已知VGS（th)，=2V，μnCox=200μA／V2，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示，已知VGS(th)，=2V，μnCox=200μA/V2，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要求ID=0.4mA，VD=1V，试确定RD、RS值。
第7题
一N沟道EMOSFET组成的电路如图3－11所示，要求场效应管工作于饱和区，ID=1mA，VDSQ=6V，已知管子参数为，VGS（th)=
一N沟道EMOSFET组成的电路如图3-11所示，要求场效应管工作于饱和区，ID=1mA，VDSQ=6V，已知管子参数为
，VGS(th)=2V，设λ=0，试设计该电路。
第8题
设计图3－12所示电路，要求P沟道EMOS管工作在饱和区，且ID=0.5mA，VD=3V，已知，VGS（th)=－1V，λ=0。
设计图3-12所示电路，要求P沟道EMOS管工作在饱和区，且ID=0.5mA，VD=3V，已知
，VGS(th)=-1V，λ=0。
第9题
试确定图3－13所示P沟道EMOSFET电路中的RS、RD。要求器件工作在饱和区，且ID=0.5mA，VDS=－1.5V，VG=2V。已知，VGS（t
试确定图3-13所示P沟道EMOSFET电路中的RS、RD。要求器件工作在饱和区，且ID=0.5mA，VDS=-1.5V，VG=2V。已知
，VGS(th)=-1V，设λ=0。
