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[判断题]

设备当前晶圆加工完成后,卸载晶圆,填写补全《mapping上芯数统计记录》相应片号晶圆对应的一栏。()

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第1题
晶圆是制造半导体芯片的基本材料,半导体集成电路最主要原料是硅,因此对应的就是硅晶圆。()
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第2题
集成电路的主要制造流程是()

A.硅抛光片-晶圆-片-成品测试-集成电路

B.晶圆-硅抛光片-成品测试-芯片-集成电路

C.硅抛光片-芯片-晶圆-成品测试-集成电路

D.硅片=芯片=成品测试-晶圆-集成电路

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第3题
晶圆,英文Wafer,是制造半导体芯片的基本材料。()
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第4题
沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

A.不会影响成品率

B.晶圆缺陷

C.成品率损失

D.晶圆损失

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第5题
划片上料前要核对的项目有哪些?()

A.来料有无缺损、裂片、蹭划伤、沾污等

B.晶圆批号、片数及条码标签

C.产品是否已划片

D.激光开槽产品是否已开槽

E.晶圆背面有无杂质、膜丝、气泡

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第6题
在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。

A.晶圆顶层的保护层

B.多层金属的介质层

C.多晶硅与金属之间的绝缘层

D.掺杂阻挡层

E.晶圆片上器件之间的隔离

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第7题
同一晶带的晶面的极射赤平投影点不可能出现的位置有()

A.基圆上

B.直径上

C.大圆弧上

D.小圆弧上

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第8题
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

A.选择性

B.均匀性

C.轮廓

D.刻蚀图案

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第9题
上料时发现晶圆背面由马克笔画的斜线,可以判定次片产品未减薄()

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第10题
MPW多项目晶圆(名词解释)
MPW多项目晶圆(名词解释)

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第11题
根据本讲,目前Intel正在研究在()晶圆上使用现有的工艺、设备制造自旋量子位的技术。

A.3mm

B.30mm

C.300mm

D.3000mm

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