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[主观题]
PN结中扩散电流的方向是______，漂移电流的方向是______。 A．从P区到N区B．从N区到P区
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有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
一个pn结二极管具有下列参数：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，τn=τp=1μs，A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自少数载流子的扩散长度。试求室温(300K)时正向电流为1mA时的外加电压。设p型区的电子迁移率μn=500cm2/(V·s)，n型区的空穴迁移率μp=180cm2/(V·s)。
xj=△k(λ/2)．
由于光在金属或半导体表面反射时相位变化比较复杂，用本方法测量结深xj没有考虑此相位突变，因此测量结果不太精确．更精确的测量方法见图3-10(b)，半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上表面，而是一端稍微往上翘一点，观察到的干涉条纹如图3-10(b)下方所示．试说明：
,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为
，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s)，n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s)，锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
设离散型随机变量X～B(n，p)，若数学期望E(X)=2.4，方差D(X)=1.44，则参数n，p的值为( )．
(a)n=4，p=0.6 (b)n=6，p=0.4
(c)n=8，p=0.3 (d)n=12，p=0.2
